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应用减压化学气相沉积技术，在弛豫Si0．7Ge0．3层／组分渐变Si1-xGex层／Si衬底这一多层复合结构的基础上制作了应变硅材料，其中组分渐变Si1-xGex层Ge的摩尔分数X从0线性增加到0．2．对该复合结构的性能进行了表征，由原子力显微镜和Raman光谱测试结果计算出应变硅层的表面粗糙度和应变度分别为4．12nm和1．2％，材料中的位错密度为4×10^4cm^-2．经受了高热开销过程后，应变硅层的应变度及其表面形貌基本上保持不变．