【摘 要】
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通过正硅酸乙酯(TEOS)水解,在羰基铁表面包覆SiO2,对其进行表面改性,研究表面包覆时间对电磁特性和吸波性能的影响。采用XRF、FT-IR对样品的元素及化学键进行表征,使用TEM分
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通过正硅酸乙酯(TEOS)水解,在羰基铁表面包覆SiO2,对其进行表面改性,研究表面包覆时间对电磁特性和吸波性能的影响。采用XRF、FT-IR对样品的元素及化学键进行表征,使用TEM分析样品表面形貌,确定包覆层厚度。利用矢量网络分析仪对样品的电磁参数进行测量,研究其吸波性能。结果表明:羰基铁表面包覆层厚度约为40~60nm,随包覆时间延长,包覆层厚度逐渐增加并致密;经模拟,包覆后同等厚度样品对电磁波的吸收峰向高频移动,频带宽度(RL≤-10dB)明显增加;包覆2h样品,反射损耗最小,最佳反射损耗值为-45
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