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随着微波技术的不断发展，各种高功率微波武器相继产生，这些武器不但能起到电磁干扰的作用，而且还能够把电磁能量集中在很窄的脉冲内，直接摧毁电子设备。另一方面，近年来，微带电路以其体积小，重量轻，耗能少，可靠性高等优点在微波领域显示出强大的生命力，但是高度集成化的微波电路易受小量微波能量的影响。微波能量能够通过各种渠道耦合进入系统壳体，对电子器件产生破坏性的效应，使其失效或功能下降。利用FDTD方法分析了高功率脉冲照射下的微波集总元件电压变化的情况，并比较了在有无屏蔽盒保护作用下的影响结果，为下一步研究高功率微