无压烧结制备Ti3SiC2-金刚石复合材料的反应机理与微观结构

来源 :兵器材料科学与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mmxxmm333

【摘要】

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在Ar气氛保护下，以钛粉、硅粉、石墨粉和金刚石粉为原料，采用无压烧结技术制备Ti3SiC2-金刚石复合材料。研究烧结温度对制备的复合材料中Ti3SiC2含量及金刚石转变的影响。结果

【作者】

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李正阳周爱国李良王李波

【机构】

：

河南理工大学材料科学与工程学院

【出处】

：

兵器材料科学与工程

【发表日期】

：

2013年6期

【关键词】

：

TI3SIC2 金刚石反应机理界面结合 Ti3SiC2 diamonds reaction mechanism interfacial bonding

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在Ar气氛保护下，以钛粉、硅粉、石墨粉和金刚石粉为原料，采用无压烧结技术制备Ti3SiC2-金刚石复合材料。研究烧结温度对制备的复合材料中Ti3SiC2含量及金刚石转变的影响。结果表明：1400℃为制备Ti3SiC2-金刚石复合材料的最佳反应温度，高于此温度金刚石大量石墨化，低于此温度Ti3SiC2不能有效合成；生成的Ti3SiC2包裹在金刚石颗粒表层，两者之间存在明显的过渡区，表明在高温条件下金刚石颗粒表层发生石墨化相变；石墨化的碳元素参与Ti3SiC2合成反应，明显改善Ti3SiC2相与金刚石颗粒界面

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