低功耗直接衬底耦合QVCO的分析与设计

来源 :信阳师范学院学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：ccc_tw

【摘要】

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设计了一款基于TSMC 0.13μm CMOS工艺实现的低功耗低相位噪声、直接衬底耦合形式的正交压控振荡器（QVCO）.该QVCO采用电容抽头技术、丙类操作状态和衬底耦合技术,降低电路的功

【作者】

：

戚玉华何如龙

【机构】

：

海军工程大学电子工程学院

【出处】

：

信阳师范学院学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2016年2期

【关键词】

：

压控振荡器衬底耦合低相位噪声低功耗

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设计了一款基于TSMC 0.13μm CMOS工艺实现的低功耗低相位噪声、直接衬底耦合形式的正交压控振荡器（QVCO）.该QVCO采用电容抽头技术、丙类操作状态和衬底耦合技术,降低电路的功耗和面积.最终版图后仿真结果表明：该QVCO在仅消耗2 m W的情况下,在载频6 GHz处,相位噪声达到-119.11d Bc/Hz@1MHz.

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