【摘 要】
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Al-Sb-Te相变薄膜与CMOS兼容性高,热稳定性佳,所以能很好满足相变存储器高温稳定工作的需求。以原子比Al:Sb:Te=0.7:2:3的混合粉为原料,采用真空合成法与烧结-热等静压制备Al
【机 构】
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北京有色金属研究总院粉末冶金及特种材料研究所;
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Al-Sb-Te相变薄膜与CMOS兼容性高,热稳定性佳,所以能很好满足相变存储器高温稳定工作的需求。以原子比Al:Sb:Te=0.7:2:3的混合粉为原料,采用真空合成法与烧结-热等静压制备Al-Sb-Te合成粉及用于溅射沉积Al0.7Sb2Te3薄膜的三元靶材,通过XRD、FESEM及金相显微镜、EDS分别表征粉体物相、靶材显微组织及元素分布等。结果表明:Al0.7Sb2Te3合成粉的主相为Sb2Te3相,且与Sb2Te3二元合金粉相比,Al原子的掺杂使Sb2Te3主相的晶格常数与晶胞体积均减小,具体表现为:晶格常数a、c从Sb2Te3二元合金粉的4.267、30.443?减小到Al0.7Sb2Te3合成粉的4.258、30.423?,且晶胞体积减小0.486%;再用Al0.7Sb2Te3合成粉为原料,制备出的三元靶材相对密度达到99.5%,且其平面与截面显微组织基本一致,均形成明显的Al0.1Sb2Te3基体相与单质Al弥散相两相组成,基体相与弥散相结合紧密,界面处存在宽度2~3μm的过渡区域。所制备的近全致密两相Al0.7Sb2Te3合金靶材,有望改进磁控溅射法制备Al-Sb-Te系列薄膜的工艺和效果。
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