【摘 要】
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目的 探究纳米二氧化硅(SiNPs)对淋巴管内皮细胞(HLECs)增殖、迁移及管状结构形成能力的影响及其作用机制.方法 采用CCK-8法检测HLECs增殖能力,Transwell迁移小室法和基质胶
【机 构】
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青岛大学,山东青岛,266071;青岛市中心医院药学部,山东青岛,266042;青岛市中心医院职业病科
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目的 探究纳米二氧化硅(SiNPs)对淋巴管内皮细胞(HLECs)增殖、迁移及管状结构形成能力的影响及其作用机制.方法 采用CCK-8法检测HLECs增殖能力,Transwell迁移小室法和基质胶法检测HLECs迁移和管状结构形成能力,并用ELISA实验检测细胞培养液中血管内皮生长因子-C(VEGF-C)和血管内皮生长因子受体-3(VEGFR-3)的表达情况.结果 在10～40μg/ml浓度范围内,随着SiNPs浓度的增加和作用时间的延长,HLECs的增殖能力受到抑制,细胞培养液中VEGF-C的表达量逐渐降低,与对照组相比差异有统计学意义(P＜0.05).不同浓度SiNPs作用后,各组HLECs的迁移能力和管状结构形成能力均增强,细胞培养液中VEGFR-3的表达量逐渐升高,与对照组相比差异有统计学意义(P＜0.05).结论 SiNPs可能通过抑制VEGF-C的表达抑制HLECs的增殖,增强VEGFR-3的表达而促进其迁移和管状结构生成.
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