窄线宽半导体激光器件

来源 :红外与激光工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户:LIUCHANGQI2003
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分布反馈半导体激光器的线宽一般较大,难以满足光纤传感等领域的要求。根据C.H.Henry于1982年提出的半导体激光器的线宽理论,通过适当设计DFB半导体激光器的腔长、耦合系数、微分增益、光限制因子,能有效地减小激光器的线宽。同时,空间烧孔现象也可限制DFB半导体激光器的线宽,为此需要合理设计光栅结构。在此基础上,DFB激光器的线宽能达到几十千赫兹的量级。此外,采用DBR结构或者外腔结构,也可以获得相当窄的线宽。 Distributed feedback semiconductor laser linewidth is generally large, it is difficult to meet the requirements of optical fiber sensing and other fields. According to the linewidth theory of semiconductor laser proposed by C.H.Henry in 1982, the laser linewidth can be effectively reduced by properly designing the cavity length, coupling coefficient, differential gain and optical confinement factor of the DFB semiconductor laser. At the same time, space burn hole phenomenon can also limit the DFB semiconductor laser linewidth, for which reason it is necessary to design a grating structure. On this basis, the DFB laser linewidth can reach the order of tens of kilohertz. In addition, DBR structure or external cavity structure, you can also get a fairly narrow line width.
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