以LiF修饰阴极的有机电致发光器件性能的提高

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：psh860525

【摘要】

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提出了用一种无机半导体的模型来计算有机电致发光器件(OELDs)的J-V特性.通过在金属/有机物界面插入薄LiF层,由此引入的偶极子能极大地降低了电子的注入势垒和OELDs的开启电

【作者】

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黄永辉李宏建代国章谢强潘艳芝戴小玉

【机构】

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湖南大学,湖南大学

【出处】

：

发光学报

【发表日期】

：

2005年6期

【关键词】

：

有机电致发光器件电极修饰界面偶极子 OLEDs electrode modification interface dipole

【基金项目】

：

湖南省杰出青年科学基金，中国博士后科学基金，中南大学校科研和教改项目

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提出了用一种无机半导体的模型来计算有机电致发光器件(OELDs)的J-V特性.通过在金属/有机物界面插入薄LiF层,由此引入的偶极子能极大地降低了电子的注入势垒和OELDs的开启电压.从而,载流子的注入得到了平衡,OELDs的性能得到了较大提高.经过数值计算,发现LiF插入层有一个约为1.5～5.0 nm的最优厚度.LiF层太厚或太薄都会提高器件的开启电压、降低器件的性能.结果表明:这一模型可以用来解释OELD通过LiF修饰阴极后性能的提高.

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