论文部分内容阅读
利用电子增强热丝化学气相沉积（EACVD）技术，以CH4／H2／H2S／Ar为工作气体，SiO2／Si为衬底，制备了硫掺杂金刚石薄膜。研究了利用光刻技术实现薄膜的图形化生长。结果表明：以SiO2作掩模的光刻技术能够使得硫掺杂金刚石薄膜在光滑SiO2／Si基片上很好地图形化生长。Hall效应检测表明硫掺杂金刚石薄膜为n型，给出了n型金刚石／p-Si异质结的反向I-V特性曲线。