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通过第一性原理的运用,对闭口碳化硅纳米管（SiCNT）顶层掺氮体系的电场发射性能进行研究,结果表明：掺氮的Si CNT的电子结构会发生非常明显的变化;通过外加电场,体系的态密度能够发生移动,移向低能端,赝能隙及最高占据分子轨道/最低未占据分子轨道能隙减小。态密度、最高占据分子轨道/最低未占据分子轨道能隙一致表明：各种体系中eqSiCNT的场发射性能最优。