a—Si:H及其多层膜光致发光某些性质的研究

来源 :无机材料学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liyunfei369
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文研究了 a-Si∶H 及 a-Si∶H/a-SiN_x∶H 多层膜光致发光的某些性质。实验研究表明,a-Si∶H 及其多层膜的光致发光峰值能量强烈地依赖于沉积偏压、a-Si∶H 层厚度和内应力,并对这些结果进行了讨论。
其他文献
采用非均相共沸蒸馏工艺成功地制备得到了纳米级氧化锆超细粉体.这种工艺能够非常有效地对水合氧化锆胶体进行脱水,防止粉体硬团聚的形成.采用这种工艺制备的氧化锆粉体常规烧结
本文基于红外透射及喇曼谱分析的结果提出了一个 a-C:H/a-Se 复合膜的 a-C∶H 层非平衡晶化凝聚模型,并做了计算机模拟研究。模拟得到的图形是具有良好的无标度性的链环状分
本文介绍了一种制备 SnO_2膜的新方法—化学超声喷雾淀积(CSD)技术.为制得高质量的 SnO_2膜,我们对各种淀积参数进行了详细的研究.通过 X 光衍射仪、扫描电子显微镜的分析和
本文较系统地研究了溶胶-凝胶方法制备KTa0.65Nb0.35O3薄膜的凝胶化行为和热处理。用自制的金属醇盐KOC2H5、Nb(OC2H5)5和Ta(OC2H5)5为原料,无水乙醇作溶剂,配制均匀的溶液。实验结果表明,溶液浓度、介质或催化剂的使用、匀
本文通过阳极氧化法将NO3^-插入石墨纤维中,研究了插层前后石墨纤维电阻的变化及其稳定性。结果表明:热处理温度为3000℃的石墨纤维在65%的HNO3中阳极氧化插层后,在溶液中的电阻只有原来的1/12,在空气
本文探索了流延法制备的、厚度为0.1mm热释电薄膜材料的单膜烧结方法,采用“夹板”法烧结,获得了平整度及强度较好的陶瓷膜片,膜片的介电及热电性能基本上达到了干压成型材料的水平,结
以 X 射线衍射谱研究了某种硅灰石型炉渣微晶玻璃.观察了晶化温度和时间对晶化的影响.结果表明:晶化过程的初期可以用 Johnson-Mehl 动力学方程来描写,并计算了复合激活能 E
本文提出三种测量方法:一是用智能数字多用表和微机系统来测量 PTC 材料或器件的 R—T 特性以及I—V 特性。二是用瞬态波形存贮器自动记录 PTC 器件的瞬态电流和稳态电流。三
目前的研究表明 PZN(铌锌酸铅)是一类有独特性能的介电材料,其烧结温度为1100℃。为了降低 MLC内电极中钯的含量,就要降低瓷料的烧结温度。本文研究了 LiF,PbF<sub>2</sub>,La<
用射频磁控溅射技术,在玻璃衬底上制备出纳米级PLZT薄膜.XRD、TEM分析表明,薄膜为纯钙钛矿结构,平均粒径为2~5nm.Raman光谱表明,纳米级晶粒尺寸使得薄膜的Raman峰向低波数方向移动.