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对频率为MHz级情况下功率MOSFET并联均流问题进行了研究，详细分析了影响功率MOSFET并联均流诸因素。通过Q轨迹把器件参数和外围电路联系起来，得出较大的Q值和适当的Ls／Lx有利于并联均流。大量的仿真和小功率实验结果均表明该方法的正确性。
功率MOSFET并联均流问题研究
【摘 要】
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对频率为MHz级情况下功率MOSFET并联均流问题进行了研究，详细分析了影响功率MOSFET并联均流诸因素。通过Q轨迹把器件参数和外围电路联系起来，得出较大的Q值和适当的Ls／Lx有利于
【机 构】
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西安理工大学
【出 处】
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电源技术应用
【发表日期】
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2005年1期
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