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针对特殊应用环境的霍尔电流传感器叠片铁芯磁路结构对传感器基本性能的影响进行分析。通过电磁场的基本理论，应用安培环路定律以及基尔霍夫磁路定律，推导出影响磁路性能的方程。结合Maxwell仿真工具，对于现有磁路结构进行仿真分析。提出环路截面不均匀、叠片间隙等影响磁路性能的因素，通过对其进行优化设计，改善各个影响因素。将优化后的磁路应用到传感器样机，使传感器的精度提升至0．04％，零点性能更加稳定。