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本文采用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法模拟低能Ａｒ＋离子注入ＺｒＯ２单晶所引起的原子级联碰撞过程．模拟结果表明，Ａｒ＋离子沿［１１１］轴沟道方向入射的溅射率低于沿［１０１］轴沟道方向入射的溅射率，更低于沿非沟道方向入射的溅射率．Ａｒ＋离子沿沟道方向入射的溅射率与非沟道方向入射的溅射率的差别随着Ａｒ＋离子入射能量的增大而迅速增大．因此在薄膜生长的过程中，若用一定能量的离子束以一定的入射角度进行轰击，薄膜中那些低指数晶向对准离子入射方向的晶粒，其溅射率和损伤程度较小．这些晶粒能保存下来并继续生长，而其它的晶粒由于其