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本文提出了一种新型的抗饱和结构的设计,它能以最小的代价来改善TTL 门电路的性能.附加的反馈晶体管有效的控制了输出晶体管进入深饱和状态,因此在提高关断速度方面的成就与采用肖特基势垒二极管的成就相似,而且这种结构有更好的抑制噪声能力,同时能和任何双极型工艺兼容.
TTL电路中一种新型的抗饱和结构的设计与分析
【摘 要】
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本文提出了一种新型的抗饱和结构的设计,它能以最小的代价来改善TTL 门电路的性能.附加的反馈晶体管有效的控制了输出晶体管进入深饱和状态,因此在提高关断速度方面的成就与
【机 构】
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黄冈职业技术学院计算机系,华中科技大学电子科学与技术系
【出 处】
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计算机与数字工程
【发表日期】
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2005年1期
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