低压环境中外加氩气流对激光沉积纳米硅晶粒尺寸及分布的影响

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dengpengfei

【摘要】

：

采用脉冲激光沉积（PLD）技术,在烧蚀点正上方0.35 cm、距靶0.7 cm处引入Ar气流,保持环境气压0.3 Pa,烧蚀高阻抗单晶硅（Si）靶。在烧蚀点正下方0.35 cm,距靶0.5 cm、0.7 cm、1.4 cm

【作者】

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王英龙高建聪褚立志邓泽超丁学成傅广生

【机构】

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河北大学物理科学与技术学院

【出处】

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人工晶体学报

【发表日期】

：

2012年5期

【关键词】

：

脉冲激光烧蚀纳米SI晶粒尺寸 pulsed laser ablation Si nanocrystal size

【基金项目】

：

国家重点基础研究发展计划（973）（2011CB612305）, 国家自然科学基金（10774036）, 河北省自然科学基金（E2011201134,E2012201035）, 河北省高等学校科学研究项目（Q2012084）

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采用脉冲激光沉积（PLD）技术,在烧蚀点正上方0.35 cm、距靶0.7 cm处引入Ar气流,保持环境气压0.3 Pa,烧蚀高阻抗单晶硅（Si）靶。在烧蚀点正下方0.35 cm,距靶0.5 cm、0.7 cm、1.4 cm、2.1 cm、2.8 cm、3.0 cm和3.5cm处水平放置衬底来收集纳米Si晶粒。利用原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）、Raman散射对样品表面形貌和微观结构进行分析表征。结果表明：在引入气流前后,纳米Si晶粒的尺寸均随着与靶距离的增加而逐渐减小;在同一位置,引入气流比

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