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利用磁控溅射技术在单晶硅衬底上制备出具有Ge/石墨/Si结构的薄膜样品,然后把其放入快速热退火（RTA）炉中退火。扫描电子显微镜（SEM）测试表明,石墨过渡层的引入缓解了Si、Ge之间的晶格失配和热失配。X射线衍射（XRD）分析表明450℃是Ge薄膜晶化的临界衬底温度,750℃是使Ge薄膜RTA晶化程度明显提高的临界退火温度,30s是最佳退火时间。