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采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术在低压力的条件下，以SiH4、NH3和H2为反应气体，通过改变氨气流量来研究富硅氮化硅薄膜材料。通过Fourier变换红外吸收（FTIR）光谱检测样品中各键的键合结构演变，发现Si-N键和N—H键随着氨气流量改变向高波数方向移动，说明逐渐形成氮化硅薄膜。通过紫外一可见光透射光谱测量薄膜材料的透射光谱，计算得出薄膜相应的带隙宽度以及带尾能量，发现氨气流量的增加，光学带隙明显展宽，确定形成的薄膜为富硅氮化硅薄膜。