硅PIN光电二极管γ电离脉冲辐射的数值模拟

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分析了γ电离脉冲辐射诱发硅PIN光电二极管产生光电流的机理。建立了硅PIN光电二极管的器件物理模型以及γ电离脉冲辐射效应模型;运用MEDICI软件,进行了辐射效应数值模拟计算。得出了γ电离脉冲辐射剂量率在100~109Gy(Si)/s范围内,诱发硅PIN光电二极管光电流变化的初步规律。对比了辐射效应数值模拟结果与国外相关文献给出的辐照实验结果。 The mechanism of photocurrent induced by γ-ionization pulsed radiation in silicon PIN photodiode was analyzed. The device model of silicon PIN photodiode and the γ ionization pulse radiation effect model were established. The MEDICI software was used to calculate the radiation effect. The initial law of the photocurrent of silicon PIN photodiode induced by the dose rate of γ ionization pulse radiation in the range of 100 ~ 109Gy (Si) / s was obtained. The results of numerical simulation of radiation effects and the experimental results of irradiation given by foreign literature were compared.
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