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采用国内的CSMC-HJ 0.6 μm CMOS工艺实现了155 Mb/s和622 Mb/s速率的光纤用户网专用集成电路的部分核心芯片.芯片测试结果表明,激光二极管驱动电路(LDD),前置放大器(Pre-Amp)和限幅放大器(LA)集成电路达到了世界同类集成电路的水平.
155Mbit／s和622Mbit／s速率0．6 μm CMOS工艺光纤用户网专用集成电路的部分核心芯片
【摘 要】
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采用国内的CSMC-HJ 0.6 μm CMOS工艺实现了155 Mb/s和622 Mb/s速率的光纤用户网专用集成电路的部分核心芯片.芯片测试结果表明,激光二极管驱动电路(LDD),前置放大器(Pre-Amp
【机 构】
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东南大学射频与光电集成电路研究所
【出 处】
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高技术通讯
【发表日期】
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2003年10期
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