白宝石上生长SiO2薄膜的工艺

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【摘要】

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用射频磁控反应溅射法,以高纯Si为靶材,高纯O2为反应气体,在白宝石上制备SiO2薄膜.对影响薄膜生长的工艺参数进行了分析,测试了薄膜的成分,并研究了薄膜的红外光学性能.结果

【作者】

：

冯丽萍徐新

【机构】

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西北工业大学

【出处】

：

材料开发与应用

【发表日期】

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2005年3期

【关键词】

：

磁控反应溅射白宝石二氧化硅薄膜 Magnetron reactive sputtering Sapphire SiO_2 films

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用射频磁控反应溅射法,以高纯Si为靶材,高纯O2为反应气体,在白宝石上制备SiO2薄膜.对影响薄膜生长的工艺参数进行了分析,测试了薄膜的成分,并研究了薄膜的红外光学性能.结果表明,制备的薄膜中Si和O形成SiO2化学键,计算出的O与Si的原子比接近2:1,采用射频磁控反应溅射法在白宝石上能够沉积出SiO2薄膜.制备出的SiO2薄膜对白宝石衬底有较好的增透作用.

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