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采用氧等离子体氧化刻蚀工艺，制备出尖锐的六硼化镧（LaB6）微尖锥场发射阵列。在二极管结构中测试了LaB6-FEAs的场发射性能，得到了真空度为5×10^-5Pa下的I-V曲线及相应的Fowler—Nordheim节点。结果表明，由于LaB6材料较低的逸出功，使得阴极的开启电压较小，开启场仅为7V／μm。此外。将氧等离子体氧化刻蚀方法与氩氧等离子体刻蚀方法和电化学刻蚀方法进行了比较，表明氧等离子体氧化刻蚀方法是制备LaB6场发射阴极阵列的一种理想工艺。