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利用热蒸发法以Pt为催化剂制备了SiC微纳米材料,并利用XRD、SEM、Raman、PL光谱等技术手段分析表征样品。发现SiC纳米材料的生长温度约为1145℃,制备的SiC样品呈纳米线/微米花状混合结构,纳米线表面光滑,其直径范围约在15~25nm,纳米花的花冠直径约为1μm,纳米花的花茎直径约在0.3~0.5μm范围。经分析SiC微纳米材料的生长可能遵循VLS(气-液-固)生长机制。此外,光致发光结果表明,SiC微纳米材料的发光存在轻微红移。