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从非晶硅的短程有序出发,建立了纳米硅结构模型以及相应的能带图.通过对非晶硅的光学带隙的测量结合其计算结果进而证明了非晶硅掺杂后费米能级不是被钉扎,而是和晶体一样能够离开禁带中心.杂质对电导的贡献小是由于势垒和非晶硅带隙的扩展造成的.顺理成章地解决了现有的带隙模型不能解释非晶硅对可见光和红外光有较高的透过率的不足,从一个全新的视角对掺杂失效和费米能级在带隙中的位置作了描述.