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在铁电存储器制备过程中,Pb（Zr0.52Ti0.48）O3（PZT）铁电薄膜需经历多次热处理,铁电电容工艺与标准CMOS工艺的集成加工过程中可能存在交叉污染。对PZT薄膜中的铅在不同温度下的挥发量进行了测定,在温度为400℃时有0.15×10^-6铅挥发。同时进一步研究了铁电工艺对底层NMOS管、PMOS管和CMOS电路性能的影响。实验结果表明：PMOS管的性能所受影响较大,PMOS管子的跨导（gm）明显降低;而NMOS管的性能所受影响较小;CMOS电路的数字逻辑功能正常。