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本文报道了一种采用串、并联FETs结构的GaAsMMIC单刀双掷开关.芯片尺寸为0.97×1.23mm.在DC—10GHz频率范围内,插入损耗小于2.2dB,隔离度大于32dB,反射损耗大于12dB,开关时间小于1ns,在5GHz下的功率处理能力大于20dBm.此开关具有极低的直流功率耗散.
宽带GaAsFET微波单片集成单刀双掷开关
【摘 要】
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本文报道了一种采用串、并联FETs结构的GaAsMMIC单刀双掷开关.芯片尺寸为0.97×1.23mm.在DC—10GHz频率范围内,插入损耗小于2.2dB,隔离度大于32dB,反射损耗大于12dB,开关时间
【机 构】
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南京电子设备研究所; 南京电子设备研究所;
【出 处】
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微波学报
【发表日期】
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2004年期
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