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氮化硅介质作为集成电路或半导体功率器件的介质层,具有掩蔽杂质沾污的作用,通过一系列试验研究,找到了氮化硅的干法、湿法刻蚀工艺,对半导体器件的性能有很好的提高,并且通过试验,还发现氮化硅具有透明耐摩擦的特性,可用于制作掩膜版的保护膜。
氮化硅的刻蚀及其它应用
【摘 要】
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氮化硅介质作为集成电路或半导体功率器件的介质层,具有掩蔽杂质沾污的作用,通过一系列试验研究,找到了氮化硅的干法、湿法刻蚀工艺,对半导体器件的性能有很好的提高,并且通
【机 构】
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天光半导体有限公司
【出 处】
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科技与企业
【发表日期】
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2014年15期
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