【摘 要】
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结合红外辐射理论分别建立了控制柜内部单个和多个元件同时过热时对壳体内表面的红外辐射模型,得到了壳体内表面总的热流密度分布,并针对受热壳体建立二维热传导模型。基于对
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结合红外辐射理论分别建立了控制柜内部单个和多个元件同时过热时对壳体内表面的红外辐射模型,得到了壳体内表面总的热流密度分布,并针对受热壳体建立二维热传导模型。基于对壳体表面红外成像测温,运用L-M算法进行了导热反问题模拟研究,对控制柜内部单个和多个元件的发热温度和方位进行了识别,最后分析了测量误差对计算结果的影响。结果发现运用L-M算法对单个和多个故障元件的发热温度和方位进行分开反演求解和同时进行反演计算时,都取得了较好效果,求解精度较高。测量误差对发热温度的反演计算结果影响更大。
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