掺钽对二氧化钛压敏电阻性能的影响

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研究了钽对二氧化钛压敏电阻性能的影响.研究中发现掺入0.25mol%Ta2O5的样品显示出最低的反转电压(Eb=6V/mm)、最高的非线性常数(α=8.8)以及最高的相对介电常数(εr=6.2×104),与样品电容和电阻的频谱特性相一致.样品的性能变化可用Ta5+对Ti4+的掺杂取代和该取代存在的饱和值来解释.
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