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采用0．18μm SMIC数模混合与射频（RF）CMOS工艺实现了一个应用于ISM（工业、科学和医疗）频段接收机的433MHz低功耗低噪声放大器（LNA）的设计．电路通过调节源级反馈电感和在LNA输入晶体管上并联电容的方法实现了最优的噪声性能．测试结果表明，LNA在431MHz处的噪声系数为2．4dB，S21=16dB，S11=－11dB，S22=－9dB，反向隔离度大于35dB．测量的1－dB压缩点（P1dB）和输入三阶交调（IIP3）分别为－13dBm和－3dBm．芯片面积为0．55mm×1