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设计了一款具有高稳定性，低功耗的带隙基准源，采用1．5μm BiCMOS工艺制造，在-40℃～100℃它们的平均温度系数为29×10^-6／℃，电源电压抑制比为60dB。在电源电压为3．7V的情况下工作功耗为144μw，低功耗高精度的特性使它非常适合在混合信号设计的IC中应用。
BiCMOS带隙基准源的设计
【摘 要】
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设计了一款具有高稳定性，低功耗的带隙基准源，采用1．5μm BiCMOS工艺制造，在-40℃～100℃它们的平均温度系数为29×10^-6／℃，电源电压抑制比为60dB。在电源电压为3．7V的情况下工作
【机 构】
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上海交通大学微纳米科学技术研究院
【出 处】
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微处理机
【发表日期】
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2006年6期
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