【摘 要】
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利用甲基三甲氧基硅烷（MTMS）水解缩合生成低聚甲基倍半硅氧烷（O-MSSQ）溶胶,经旋转涂胶和热解制备了多孔低介电常数薄膜.用FTIR,AFM和MIM等方法分别对化学结构、表面粗糙度和介电
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利用甲基三甲氧基硅烷（MTMS）水解缩合生成低聚甲基倍半硅氧烷（O-MSSQ）溶胶,经旋转涂胶和热解制备了多孔低介电常数薄膜.用FTIR,AFM和MIM等方法分别对化学结构、表面粗糙度和介电性能等进行表征.FTIR研究表明：薄膜中Si—O—Si键呈笼状和网状两种不同的结构,笼状/网状结构的比例会随着烧结温度的升高而明显降低,从而导致了介电常数升高.针对这一情况,使用了正十四烷（tetradecane）作为发泡剂以增加孔隙率,由于孔隙率的提高,其介电常数可达1.9.
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