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对低掺杂多晶硅薄膜晶体管的表面势进行分析，将表面势开始偏离亚阈值区、沟道电流迅速增加时所对应的栅压作为晶体管的阂值电压．考虑到多晶硅薄膜的陷阱态密度为单指数分布，通过对低掺杂多晶硅薄膜晶体管的表面势进行求解，推导出一个多晶硅薄膜晶体管阈值电压解析模型，并采用数值仿真方法对模型进行了验证．结果表明：新模型所得到的阈值电压与采用二次导数法提取的阈值电压相吻合．