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利用化学沉积技术制备了NiHCF/石墨粉／MTMOS复合修饰电极，研究了NiHCF／石墨粉／MTMOS复合修饰电极作为安培型L-半胱氨酸传感器的电化学行为．NiHCF修饰电极在不同扫速的循环伏安行为表明在-0．1～＋0．7V电位窗内，半波电位（E1/2）为＋0．393V的可逆氧化还原波为[Fe^Ⅲ（CN）6]^3-／[Fe^Ⅱ（CN）6]^4-电对；在扫速小于100mV／s时，阳极峰电流与扫速成很好的线性关系；当扫速大于120mV／s时，阳极峰电流却与扫速平方根成正比，电极反应被扩散过程所控制；NiHCF