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采用电学方法测量ZnS:Mn,Cu DCEL粉末屏的复阻抗谱,运用多节RC等效电路、逾渗理论和自仿射康托体分形模型,分析EL屏界面和发光区在形成或老化过程的变化,认为逾渗相变形成发光区,发光区导电相分布具有分形特征,发光区内铜离子进一步迁移导致老化,老化屏发光区分维值趋于2。
电致发光屏界面的阻抗谱和分形研究
【摘 要】
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采用电学方法测量ZnS:Mn,Cu DCEL粉末屏的复阻抗谱,运用多节RC等效电路、逾渗理论和自仿射康托体分形模型,分析EL屏界面和发光区在形成或老化过程的变化,认为逾渗相变形成发
【机 构】
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厦门大学物理学系,厦门大学物理学系
【出 处】
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厦门大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1993年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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