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利用低压金属有机源气相沉积(LP-MOCVD)技术，在(0001)蓝宝石衬底上生长ZnO纳米岛，发现在适当的生长条件下，可以生长出规则排列的纳米岛．实验发现随着生长时间的增加，在蓝宝石衬底上沉积的ZnO晶体颗粒无论是密度还是体积都在增加，并出现颗粒之间的交叠现象．与厚膜材料相比，相应的室温PL谱上显示出带边蓝移现象，随着生长温度的提高将大大增加ZnO在蓝宝石衬底上成核的困难．另外，所有样品的室温PL谱在带边附近均存在一个展宽峰，这可能是由表面态或晶体缺陷造成的．研究表明选择合适的生长时间与生长温度是利用M