【摘 要】
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采用噪声等效电路研究了肖特基势垒栅场效应晶体管的噪声性能。估价了载流子速度饱和的影响。噪声参数的计算中考虑了寄生电阻的影响:在2～8千兆赫的频率范围内测得的噪声参数
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采用噪声等效电路研究了肖特基势垒栅场效应晶体管的噪声性能。估价了载流子速度饱和的影响。噪声参数的计算中考虑了寄生电阻的影响:在2～8千兆赫的频率范围内测得的噪声参数和计算值相符。
The noise performance of Schottky barrier field effect transistor is studied by noise equivalent circuit. The effect of saturation of carrier velocity was evaluated. The calculation of noise parameters takes into account the effects of parasitic resistance: the noise parameters measured in the frequency range of 2 to 8 GHz agree with the calculated values.
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