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介绍了硅片机械-化学抛光技术,重点分析了10.16 cm硅片抛光加工过程中抛光液的pH值、抛光压力和抛光垫等因素对硅片抛光去除速率及表面质量的影响。通过试验确定了硅片抛光过程中合适的工艺参数,同时对抛光过程中出现的各种缺陷进行了分析总结,并提出了相应的解决方案。
硅片CMP抛光工艺技术研究
【摘 要】
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介绍了硅片机械-化学抛光技术,重点分析了10.16 cm硅片抛光加工过程中抛光液的pH值、抛光压力和抛光垫等因素对硅片抛光去除速率及表面质量的影响。通过试验确定了硅片抛光过
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
【出 处】
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电子工艺技术
【发表日期】
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2010年05期
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