【摘 要】
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利用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的ZnO：Zr（ZZO）透明导电薄膜。讨论了溅射功率对ZZO薄膜结构、形貌及光电性能的影响。研究结果表明，溅射功率对z
【机 构】
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山东理工大学物理与光电信息技术学院
【基金项目】
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山东理工大学创新团队支持计划（No.2006）
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利用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的ZnO：Zr（ZZO）透明导电薄膜。讨论了溅射功率对ZZO薄膜结构、形貌及光电性能的影响。研究结果表明，溅射功率对zZ0薄膜的结构和电学性能有很大影响。实验制备的ZZO薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜，且具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。在溅射功率为115W时，ZZO薄膜的电阻率具有最小值1．9×10^-3 Ω·cm，其霍尔迁移率和载流子浓度分别为18．7cm^2·V^-1·S^-1和2．07×
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