钕掺杂对SnO2·Co2O3·Nb2O5压敏电阻瓷

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【摘要】

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通过对样品的伏安特性，晶界势垒的测量和分析，研究了Nd2O3对SnO2·Co2O3·Nb2O5压敏电阻瓷电性能的影响。发现掺入x(Nb2O3）为0.050%的样品表现出最好的压敏性质，其压敏电

【作者】

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亓鹏高建鲁等

【机构】

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山东大学物理与微电子学院,济南安太电子研究所

【出处】

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电子元件与材料

【发表日期】

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2002年11期

【关键词】

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钕掺杂压敏电阻瓷二氧化锡压敏电阻器电学性能三氧化二钴氧化铌 tin oxide varistors electrical properties

【基金项目】

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国家理科人才培养基地建设项目

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通过对样品的伏安特性，晶界势垒的测量和分析，研究了Nd2O3对SnO2·Co2O3·Nb2O5压敏电阻瓷电性能的影响。发现掺入x(Nb2O3）为0.050%的样品表现出最好的压敏性质，其压敏电压为460.69V/mm，密度为6.812g/cm^3，非线性系数为18.7。为了说明电学非线性的起源，提出了SnO2压敏材料的一个缺陷势垒模型。

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