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利用脉冲激光分子束外延技术（MBE）在LaAl03（100）基片上依次沉积了La2/3Sr1／3Mn03（LSMO）、BaTi03（BTO）和Bi4Ti3012（BIT）薄膜。采用X射线衍射仪（XRD）、压电力显微镜（PFM）和铁电仪研究了复合薄膜的晶体结构、表面形貌、畴结构、单点压电响应信号以及电滞回线。结果表明所制BIT／BTO铁电复合薄膜沿O轴择优取向生长，其PFM相位曲线的畴翻转特征加之明显的振幅．电压蝴蝶曲线证实了该复合薄膜具有良好的铁电性：在外加8V电压下BIT／BTO复合薄膜的剩余极化强度（