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本文介绍一种垂直沟道结型场效应晶体管.给出器件的电参数、线性区等效电路、开关参数的测试电路及一些测试结果.对器件的开关参数进行了初步分析与计算.指出,器件的通态电阻R_(on)是涉及本器件开关性能的一个重要参数.最后,给出一例高速脉冲放大器的实际电路.
硅高压功率JFET开关性能
【摘 要】
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本文介绍一种垂直沟道结型场效应晶体管.给出器件的电参数、线性区等效电路、开关参数的测试电路及一些测试结果.对器件的开关参数进行了初步分析与计算.指出,器件的通态电阻
【机 构】
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南京电子器件研究所,南京电子器件研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1990年1期
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