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为了解决材料的界面平整度，改善材料的晶体质量，在Ⅲ-Ⅴ族氮化物（InGaN）材料的生长过程中，加入了Al掺杂剂。实验发现，InGaN材料的双晶衍射半宽从533arcsec（非掺Al）下降到399arcsec（轻掺A1），PL光谱半宽变窄，从21．4nm（非掺Al）降为20．9nm（轻掺Al）。研究结果表明，Al作为活性剂明显提高了InGaN材料质量，这将对改善LED和LD多量子阱材料和器件质量带来积极影响，目前还没有相关的文献报道。