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由于最近三、四年来半导体材料外延生长技术的迅速发展,现已能够获得显示量子效应的超薄膜。本文综述半导体超薄膜中量子尺寸效应的简单理论和多层超薄膜异质结构中隧道效应、光吸收和受激发射的实验和结果。本文内容分:半导体表面和超薄膜量子效应,量子尺寸效应简单理论,异质结构中量子尺寸效应的实验证实及最近进展四部份。