【摘 要】
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石墨烯是零带隙半导体材料,无法在半导体领域直接应用。因此,本文采用基于第一性原理的密度泛函理论超软雁势平面波方法计算Si原子轰击石墨烯形成取代结构的能带结构希望能打
【机 构】
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贵州大学大数据与信息工程学院,贵州大学光电子材料与技术研究所
【基金项目】
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国家自然科学基金项目资助(61264004),贵州省国际科技合作项目资助(黔科合外G字[2012]7004),贵州省自然科学基金(黔科合基础[2018]1028),贵州大学研究生重点课程建设项目资助(贵大研ZDKC[2015]).
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石墨烯是零带隙半导体材料,无法在半导体领域直接应用。因此,本文采用基于第一性原理的密度泛函理论超软雁势平面波方法计算Si原子轰击石墨烯形成取代结构的能带结构希望能打开石墨烯的带隙。首先验证了石墨烯本身的带隙,模拟数据表明石墨烯具有零带隙的性质。然后采用lammps软件模拟Si原子轰击石墨烯中的C原子,在一定范围的轰击速度下(153~597■/fs),Si原子轰击并取代石墨烯中C原子形成了石墨烯型SiC的取代结构。在相同的速度下,用不同数目的 Si原子分别轰击石墨烯得到不同的取代结构,把其导入到MS中,用C
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