2. 您的位置
3. 首页
4. 期刊论文
5. 日本富士通公司采用AlGaN间隔层和InAlGaN阻挡层将GaNHEMT的输出功率提高到19.9W/mm栅宽

日本富士通公司采用AlGaN间隔层和InAlGaN阻挡层将GaNHEMT的输出功率提高到19.9W/mm栅宽

来源 :半导体信息 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yun09

【出 处】

：

半导体信息

【发表日期】

：

2018年08期

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文 赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

其他文献

实习医师以共同阅片和第二阅片者模式使用计算机辅助检测系统在低剂量CT中的应用研究

期刊

文物领域科研基地运行评估研究

学位

IBM:超算玩家卷土重来

期刊

广元市农村电商实施现状及政策建议

期刊

高中英语阅读教学中批判性思维能力培养的实证研究

学位

张家界市夜间旅游产品提质升级研究

期刊

3D解剖软件及“三明治”教学在人体解剖教学中的实践

期刊

回归分析在饮料行业发展中的应用

期刊

嘉陵江南充段冬季迁徙水鸟的迁徙时序及数量变化

会议

变应性鼻炎中自噬相关基因LC3与ECP的表达及意义

期刊