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采用阴极恒电压法在ITO导电玻璃表面沉积了PbS薄膜，并用X-射线衍射仪（XRD）对薄膜的结构进行了表征，研究了沉积电压对薄膜的晶相组成的影响．结果表明：在U=3．0V时，可制备出沿（111）晶面取向生长的立方相PbS薄膜；随沉积电压从3．0V增加到4．5V，薄膜的生长取向从（111）晶面变为（200）晶面，且PbS衍射峰的强度越来越强，到18V时达到最强．