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本文提出一个用PVT法生长SiC晶体的坩埚的新颖设计。分析了生长腔中有无锥形档板对腔内及籽晶温度场的影响；比较了档板取不同厚度时SiC粉源升华面和籽晶表面的温度分布。得出了在腔内增设档板后晶体生长面的温度更趋均匀的结论；获取了随着档板厚度的增加，腔内的轴向温度梯度随之增加，但同时晶体生长面的温度也会降低的设计原则。根据计算结果，选取档板厚度等于2mm为优化参数。