【摘 要】
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忆阻器被定义为第四种基本电子元器件,其模型的研究呈现多样性.目前,忆阻器模型与忆阻器实际特性的切合程度引起了研究者的广泛关注.通过改变离子扩散项,提出了一种新的WOx忆
【机 构】
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西南大学电子信息工程学院,香港城市大学机械与生物医学工程系
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忆阻器被定义为第四种基本电子元器件,其模型的研究呈现多样性.目前,忆阻器模型与忆阻器实际特性的切合程度引起了研究者的广泛关注.通过改变离子扩散项,提出了一种新的WOx忆阻器模型,更好地匹配了忆阻器的实际行为特性.首先,新的模型不仅能够描述忆阻器的一般特性,而且能够俘获记忆丢失行为.另外,将新的忆阻器作为神经突触,分析了脉冲速率依赖可塑性、短期可塑性、长期可塑性,并发现了与生物系统中极为相似的＂经验学习＂现象.最后,考虑到温度与离子扩散系数的关系,探讨了温度对突触权值弛豫过程的影响.实验表明,新忆阻器模型比
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